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- 品番:
- HGTP2N120CN
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT 1200V 13A 104W TO220AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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-
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor HGTP2N120CN electronic components. HGTP2N120CN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HGTP2N120CN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HGTP2N120CN 製品の属性
品番 :
HGTP2N120CN
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
IGBT 1200V 13A 104W TO220AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
IGBTタイプ :
NPT
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
13A
電流-パルスコレクター（Icm） :
20A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.4V @ 15V, 2.6A
パワー-最大 :
104W
スイッチングエネルギー :
96µJ (on), 355µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
30nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
25ns/205ns
試験条件 :
960V, 2.6A, 51 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
-
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220-3
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