EGL41B-E3/96 価格設定（USD） [761822個在庫]
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- 品番:
- EGL41B-E3/96
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-US1B-E3
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGL41B-E3/96 electronic components. EGL41B-E3/96 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGL41B-E3/96, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
EGL41B-E3/96 製品の属性
品番 :
EGL41B-E3/96
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
シリーズ :
SUPERECTIFIER®
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
100V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1V @ 1A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
50ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 100V
静電容量@ Vr、F :
20pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-213AB, MELF (Glass)
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-213AB
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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BYM11-200-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt
ホットパーツ
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- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
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- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
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- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
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- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A