ON Semiconductor - NSB9435T1G

KEY Part #: K6527037

NSB9435T1G 価格設定(USD) [410451個在庫]

  • 1 pcs$0.09057
  • 3,000 pcs$0.09011

品番:
NSB9435T1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NSB9435T1G electronic components. NSB9435T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSB9435T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NSB9435T1G 製品の属性

品番 : NSB9435T1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223
シリーズ : -
部品ステータス : Active
トランジスタータイプ : PNP - Pre-Biased
電流-コレクター(Ic)(最大) : 3A
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 30V
抵抗-ベース(R1) : 10 kOhms
抵抗-エミッターベース(R2) : -
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 125 @ 800mA, 1V
Vce飽和(最大)@ Ib、Ic : 550mV @ 300mA, 3A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : -
頻度-遷移 : 110MHz
パワー-最大 : 720mW
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-261-4, TO-261AA
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-223

あなたも興味があるかもしれません
  • PBRN123ES,126

    NXP USA Inc.

    TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3.

  • FJN3302RTA

    ON Semiconductor

    TRANS PREBIAS NPN 0.3W TO92-3.

  • FJN4305RTA

    ON Semiconductor

    TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3.

  • FJN3305RTA

    ON Semiconductor

    TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3.

  • FJN4303RTA

    ON Semiconductor

    TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3.

  • DTC124EKA-TP

    Micro Commercial Co

    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3L.