[1495個在庫]
- 品番:
- SUD50N03-06P-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 84A TO252.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SUD50N03-06P-E3 electronic components. SUD50N03-06P-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SUD50N03-06P-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SUD50N03-06P-E3 製品の属性
品番 :
SUD50N03-06P-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 30V 84A TO252
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
84A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
30nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3100pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
8.3W (Ta), 88W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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