メーカー :
GeneSiC Semiconductor
説明 :
DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL
ダイオードタイプ :
Silicon Carbide Schottky
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If :
4.6V @ 50mA
速度 :
No Recovery Time > 500mA (Io)
電流-Vrでの逆漏れ :
3.8µA @ 8000V
静電容量@ Vr、F :
25pF @ 1V, 1MHz
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C