VT6X11T2R 価格設定（USD） [900196個在庫]
- 1 pcs$0.04109
- 品番:
- VT6X11T2R
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- NPNNPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor VT6X11T2R electronic components. VT6X11T2R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VT6X11T2R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VT6X11T2R 製品の属性
品番 :
VT6X11T2R
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
NPNNPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
2 NPN (Dual)
電流-コレクター（Ic）（最大） :
200mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
20V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
300mV @ 10mA, 100mA
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
100nA (ICBO)
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
120 @ 1mA, 2V
パワー-最大 :
150mW
頻度-遷移 :
400MHz
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-SMD, Flat Leads
サプライヤーデバイスパッケージ :
VMT6
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