RN2111MFV,L3F 価格設定（USD） [2968934個在庫]
- 1 pcs$0.01246
- 品番:
- RN2111MFV,L3F
- 詳細な説明:
- X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-JFET, ダイオード-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN2111MFV,L3F electronic components. RN2111MFV,L3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN2111MFV,L3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RN2111MFV,L3F 製品の属性
品番 :
RN2111MFV,L3F
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
PNP - Pre-Biased
電流-コレクター（Ic）（最大） :
100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
50V
抵抗-ベース（R1） :
10 kOhms
抵抗-エミッターベース（R2） :
-
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
120 @ 1mA, 5V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
100nA (ICBO)
頻度-遷移 :
-
パワー-最大 :
150mW
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-723
サプライヤーデバイスパッケージ :
VESM
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- FJNS3211RBU
- FJNS3209RTA
- FJN3308RTA
- MMUN2113LT1
- DDTC124ECA-7
- UNR911MJ0L
- UNR911BJ0L
- UNR221400L
- UNR211F00L
- DDTA144VUA-7
- RN2108(T5L,F,T)
- UNR723100L
- UNR411400A
- UNR31A300L
- UNR221D00L
- DDTA115GCA-7
- DDTA115TCA-7
- DDTC124TUA-7
- DDTC144EKA-7-F
- UNR221F00L
- DDTA114WCA-7
- PDTA123ES,126
- PDTC143ES,126
- RN1106CT(TPL3)
- UNR911HG0L
- UNR51AVG0L
- DDTA144TKA-7-F
- DDTA143ZKA-7-F
- MUN2111T3G
- MMUN2231LT1
- MMUN2112LT1
- DTA123JET1
- FJY4013R
- PDTD123YUX
- PDTB143ETVL
- DTC123JUBTL
- DTA144EUBHZGTL
- PDTA144ET,215
- PDTA144WU,115
- PDTA114EU,135