GeneSiC Semiconductor - MBR3580

KEY Part #: K6425160

MBR3580 価格設定(USD) [7002個在庫]

  • 1 pcs$5.88611
  • 100 pcs$5.71257

品番:
MBR3580
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 80V 35A DO4. Schottky Diodes & Rectifiers 80V - 35A Schottky Rectifier
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR3580 electronic components. MBR3580 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR3580, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR3580 製品の属性

品番 : MBR3580
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE SCHOTTKY 80V 35A DO4
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 80V
電流-平均整流(Io) : 35A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 840mV @ 35A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 1.5mA @ 20V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース : DO-203AA, DO-4, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-4
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
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