GeneSiC Semiconductor - MURTA400120R

KEY Part #: K6468630

MURTA400120R 価格設定(USD) [768個在庫]

  • 1 pcs$60.52443
  • 18 pcs$36.55488

品番:
MURTA400120R
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER. Rectifiers 1200V 400A Si Super Fast Recovery
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MURTA400120R electronic components. MURTA400120R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURTA400120R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURTA400120R 製品の属性

品番 : MURTA400120R
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1200V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 200A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 2.6V @ 200A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 25µA @ 1200V
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Three Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower
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