IRLB8314PBF 価格設定（USD） [91686個在庫]
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- 品番:
- IRLB8314PBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 184A TO220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
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- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
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IRLB8314PBF 製品の属性
品番 :
IRLB8314PBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 30V 184A TO220
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
130A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.4 mOhm @ 68A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
60nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5050pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
125W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220-3
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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