GeneSiC Semiconductor - S12GR

KEY Part #: K6425050

詳細な説明:: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4. Rectifiers 400V 12A REV Leads Std. Recovery

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-シングル and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in GeneSiC Semiconductor S12GR electronic components. S12GR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S12GR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

品番 : S12GR

メーカー : GeneSiC Semiconductor

説明 : DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオードタイプ : Standard, Reverse Polarity

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 400V

電流-平均整流（Io） : 12A

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.1V @ 12A

速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : -

電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 50V

静電容量@ Vr、F : -

取付タイプ : Chassis, Stud Mount

パッケージ/ケース : DO-203AA, DO-4, Stud

サプライヤーデバイスパッケージ : DO-4

動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

あなたも興味があるかもしれません

FGD5T120SH

ON Semiconductor

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.
FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 60W DPAK.
BAS40E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
LXA06B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr
QH05BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier
QH08BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 8A, Rectifier