GeneSiC Semiconductor - MURT20060

KEY Part #: K6468991

詳細な説明:: DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER. Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A600P/424R

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MURT20060 electronic components. MURT20060 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURT20060, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

品番 : MURT20060

メーカー : GeneSiC Semiconductor

説明 : DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオード構成 : 1 Pair Common Cathode

ダイオードタイプ : Standard

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 600V

電流-平均整流（Io）（ダイオードごと） : 200A (DC)

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.7V @ 100A

速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : 160ns

電流-Vrでの逆漏れ : 25µA @ 50V

動作温度-ジャンクション : -

取付タイプ : Chassis Mount

パッケージ/ケース : Three Tower

サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower

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