IPD60R1K5CEAUMA1 価格設定（USD） [342242個在庫]
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- 品番:
- IPD60R1K5CEAUMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CHANNEL 650V 5A TO252.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPD60R1K5CEAUMA1 electronic components. IPD60R1K5CEAUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD60R1K5CEAUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPD60R1K5CEAUMA1 製品の属性
品番 :
IPD60R1K5CEAUMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CHANNEL 650V 5A TO252
シリーズ :
CoolMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 90µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
9.4nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
200pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
49W (Tc)
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO252
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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