NSVMUN531335DW1T1G 価格設定（USD） [815782個在庫]
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- 15,000 pcs$0.03823
- 30,000 pcs$0.03577
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V 6TSSOP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NSVMUN531335DW1T1G electronic components. NSVMUN531335DW1T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSVMUN531335DW1T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NSVMUN531335DW1T1G 製品の属性
品番 :
NSVMUN531335DW1T1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V 6TSSOP
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
電流-コレクター（Ic）（最大） :
100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
50V
抵抗-ベース（R1） :
47 kOhms, 2.2 kOhms
抵抗-エミッターベース（R2） :
47 kOhms
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
80 @ 5mA, 10V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
250mV @ 300µA, 10mA
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
500nA
頻度-遷移 :
-
パワー-最大 :
187mW
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ :
SC-88/SC70-6/SOT-363
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