Nexperia USA Inc. - PSMN013-100ES,127

KEY Part #: K6415346

PSMN013-100ES,127 価格設定(USD) [12442個在庫]

  • 1 pcs$0.73586
  • 10 pcs$0.66269
  • 100 pcs$0.53262
  • 500 pcs$0.41425
  • 1,000 pcs$0.32469

品番:
PSMN013-100ES,127
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V I2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN013-100ES,127 electronic components. PSMN013-100ES,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN013-100ES,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN013-100ES,127 製品の属性

品番 : PSMN013-100ES,127
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : MOSFET N-CH 100V I2PAK
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 68A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 13.9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 59nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3195pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 170W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : I2PAK
パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

あなたも興味があるかもしれません
  • STT7P2UH7

    STMicroelectronics

    MOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6.

  • STT3P2UH7

    STMicroelectronics

    MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-6.

  • SI3404-TP

    Micro Commercial Co

    MOSFET N-CHANNEL 30V 5.8A SOT23.

  • PMN25EN,115

    NXP USA Inc.

    MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP.

  • PMN27UN,135

    NXP USA Inc.

    MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP.

  • PMN34LN,135

    NXP USA Inc.

    MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP.