Vishay Semiconductor Diodes Division - ESH2PD-E3/85A

KEY Part #: K6447556

[1384個在庫]


    品番:
    ESH2PD-E3/85A
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ESH2PD-E3/85A electronic components. ESH2PD-E3/85A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ESH2PD-E3/85A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ESH2PD-E3/85A 製品の属性

    品番 : ESH2PD-E3/85A
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA
    シリーズ : eSMP®
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
    電流-平均整流(Io) : 2A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 980mV @ 2A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 25ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 200V
    静電容量@ Vr、F : 25pF @ 4V, 1MHz
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : DO-220AA
    サプライヤーデバイスパッケージ : DO-220AA (SMP)
    動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

    あなたも興味があるかもしれません
    • MA3X78600L

      Panasonic Electronic Components

      DIODE SCHOTTKY 30V 100MA MINI3.

    • MA3X74800L

      Panasonic Electronic Components

      DIODE SCHOTTKY 20V 500MA MINI3.

    • 1PS193,115

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 1PS193,135

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 8EWS12S

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.

    • 50WQ06FNTRR

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.