Microsemi Corporation - JANS1N5806

KEY Part #: K6447651

JANS1N5806 価格設定（USD） [1733個在庫]

1 pcs$29.55854
10 pcs$27.82163
25 pcs$26.08286

品番:: JANS1N5806

メーカー:: Microsemi Corporation

詳細な説明:: DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL. Rectifiers Rectifier

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Microsemi Corporation JANS1N5806 electronic components. JANS1N5806 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANS1N5806, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

JANS1N5806 製品の属性

品番 : JANS1N5806

メーカー : Microsemi Corporation

説明 : DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL

シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/477

部品ステータス : Active

ダイオードタイプ : Standard

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 150V

電流-平均整流（Io） : 1A

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 875mV @ 1A

速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : 25ns

電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 150V

静電容量@ Vr、F : 25pF @ 10V, 1MHz

取付タイプ : Through Hole

パッケージ/ケース : A, Axial

サプライヤーデバイスパッケージ : -

動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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