Vishay Siliconix - IRFP31N50L

KEY Part #: K6413792

[12978個在庫]


    品番:
    IRFP31N50L
    メーカー:
    Vishay Siliconix
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 500V 31A TO-247AC.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Siliconix IRFP31N50L electronic components. IRFP31N50L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFP31N50L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFP31N50L 製品の属性

    品番 : IRFP31N50L
    メーカー : Vishay Siliconix
    説明 : MOSFET N-CH 500V 31A TO-247AC
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 500V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 31A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 180 mOhm @ 19A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 210nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±30V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5000pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 460W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247-3
    パッケージ/ケース : TO-247-3

    あなたも興味があるかもしれません
    • IRF5805

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP.

    • IRF5800

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP.

    • IRF5804

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.

    • IRF5803

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

    • IRF5806

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP.

    • ZVN4206AVSTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.