Global Power Technologies Group - GHXS030A120S-D1E

KEY Part #: K6538087

GHXS030A120S-D1E 価格設定(USD) [907個在庫]

  • 1 pcs$57.27744

品番:
GHXS030A120S-D1E
メーカー:
Global Power Technologies Group
詳細な説明:
BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT227.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-アレイ and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Global Power Technologies Group GHXS030A120S-D1E electronic components. GHXS030A120S-D1E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GHXS030A120S-D1E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GHXS030A120S-D1E 製品の属性

品番 : GHXS030A120S-D1E
メーカー : Global Power Technologies Group
説明 : BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT227
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Single Phase
技術 : Silicon Carbide Schottky
電圧-ピーク逆方向(最大) : 1.2kV
電流-平均整流(Io) : 30A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.7V @ 30A
電流-Vrでの逆漏れ : 200µA @ 1200V
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : SOT-227-4, miniBLOC
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-227

あなたも興味があるかもしれません
  • RMB2S-E3/80

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 3P 200V TO269AA. Bridge Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt

  • B6M-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 600V 500MA MBM. Bridge Rectifiers 0.5 Amp 600 Volt

  • B4M-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 400V 500MA MBM. Bridge Rectifiers 0.5 Amp 400 Volt

  • MB2M-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 200V 500MA MBM. Bridge Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 35 Amp IFSM

  • TSS4B03GHC2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B.

  • GBL10 D2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL. Bridge Rectifiers 4A 1000V Standard Bridge Rectif