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Microsemi Corporation - JANTXV1N6642

KEY Part #: K6430978

JANTXV1N6642 価格設定（USD） [6794個在庫]

  • 1 pcs$6.06546
  • 145 pcs$5.68637
品番:
JANTXV1N6642
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 100V 300MA. ESD Suppressors / TVS Diodes Diode, switching, low power
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-トライアック, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6642 electronic components. JANTXV1N6642 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6642, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N6642 製品の属性

品番 : JANTXV1N6642
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 100V 300MA
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/578
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 100V
電流-平均整流（Io） : 300mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.2V @ 100mA
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 20ns
電流-Vrでの逆漏れ : 500nA @ 100V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : -
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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