IXYS - MIXA40W1200TED

KEY Part #: K6532913

MIXA40W1200TED 価格設定(USD) [1623個在庫]

  • 1 pcs$28.15040
  • 6 pcs$28.01034

品番:
MIXA40W1200TED
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
IGBT MODULE 1200V 40A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-RF and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS MIXA40W1200TED electronic components. MIXA40W1200TED can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MIXA40W1200TED, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MIXA40W1200TED 製品の属性

品番 : MIXA40W1200TED
メーカー : IXYS
説明 : IGBT MODULE 1200V 40A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : PT
構成 : Three Phase Inverter with Brake
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 60A
パワー-最大 : 195W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.1V @ 15V, 35A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 2.1mA
入力容量(Cies)@ Vce : -
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 125°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : E2
サプライヤーデバイスパッケージ : E2

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

  • VS-GB75LA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A LS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

  • VS-GT140DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 200A 652W SOT-227.

  • VS-GT120DA65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG.

  • VS-GB55NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 55A HS CHOPPER SOT227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT