IXYS - MIXA40W1200TED

KEY Part #: K6532913

MIXA40W1200TED 価格設定(USD) [1623個在庫]

  • 1 pcs$28.15040
  • 6 pcs$28.01034

品番:
MIXA40W1200TED
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
IGBT MODULE 1200V 40A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS MIXA40W1200TED electronic components. MIXA40W1200TED can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MIXA40W1200TED, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MIXA40W1200TED 製品の属性

品番 : MIXA40W1200TED
メーカー : IXYS
説明 : IGBT MODULE 1200V 40A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : PT
構成 : Three Phase Inverter with Brake
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 60A
パワー-最大 : 195W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.1V @ 15V, 35A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 2.1mA
入力容量(Cies)@ Vce : -
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 125°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : E2
サプライヤーデバイスパッケージ : E2

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

  • VS-GB75LA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A LS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

  • VS-GT140DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 200A 652W SOT-227.

  • VS-GT120DA65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG.

  • VS-GB55NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 55A HS CHOPPER SOT227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT