VS-6ESH01HM3/86A 価格設定（USD） [248680個在庫]
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- 品番:
- VS-6ESH01HM3/86A
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A. Rectifiers Hypfst Rct 6A 100V AEC-Q101
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-6ESH01HM3/86A electronic components. VS-6ESH01HM3/86A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-6ESH01HM3/86A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-6ESH01HM3/86A 製品の属性
品番 :
VS-6ESH01HM3/86A
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
100V
電流-平均整流（Io） :
6A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
940mV @ 6A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
22ns
電流-Vrでの逆漏れ :
2µA @ 100V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-277, 3-PowerDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-277A (SMPC)
動作温度-ジャンクション :
-60°C ~ 175°C
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