Taiwan Semiconductor Corporation - S4M V6G

KEY Part #: K6426542

S4M V6G 価格設定(USD) [801314個在庫]

  • 1 pcs$0.04616

品番:
S4M V6G
メーカー:
Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 4A DO214AB. Rectifiers 4A 1000V Standard Recov Rectifier
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S4M V6G electronic components. S4M V6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S4M V6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S4M V6G 製品の属性

品番 : S4M V6G
メーカー : Taiwan Semiconductor Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 4A DO214AB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : -
電流-平均整流(Io) : 4A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : -
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 1.5µs
電流-Vrでの逆漏れ : 100µA @ 1000V
静電容量@ Vr、F : 60pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-214AB, SMC
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AB (SMC)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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