1N6484HE3/97 価格設定（USD） [704650個在庫]
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- 品番:
- 1N6484HE3/97
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N6484HE3/97 electronic components. 1N6484HE3/97 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6484HE3/97, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N6484HE3/97 製品の属性
品番 :
1N6484HE3/97
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
シリーズ :
SUPERECTIFIER®
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
1000V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.1V @ 1A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 1000V
静電容量@ Vr、F :
8pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-213AB, MELF (Glass)
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-213AB
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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