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ON Semiconductor - FDS6673BZ-F085

KEY Part #: K6402984

[2514個在庫]

    品番:
    FDS6673BZ-F085
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor FDS6673BZ-F085 electronic components. FDS6673BZ-F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS6673BZ-F085, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDS6673BZ-F085 製品の属性

    品番 : FDS6673BZ-F085
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC
    シリーズ : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    部品ステータス : Active
    FETタイプ : P-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 14.5A (Ta)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4.5V, 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 7.8 mOhm @ 14.5A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 3V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 124nC @ 10V
    Vgs（最大） : ±25V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 4700pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 2.5W (Ta)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOIC
    パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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