IPN50R950CEATMA1 価格設定（USD） [420018個在庫]
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- 品番:
- IPN50R950CEATMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- CONSUMER.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPN50R950CEATMA1 electronic components. IPN50R950CEATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPN50R950CEATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPN50R950CEATMA1 製品の属性
品番 :
IPN50R950CEATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
CONSUMER
シリーズ :
CoolMOS™ CE
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6.6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
13V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
950 mOhm @ 1.2A, 13V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
10.5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
231pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
5W (Tc)
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-SOT223
パッケージ/ケース :
TO-261-3
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