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Microsemi Corporation - JAN1N6073

KEY Part #: K6442420

JAN1N6073 価格設定（USD） [3139個在庫]

  • 100 pcs$7.61477
品番:
JAN1N6073
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes MIL, QPL PART, 0.85A 50V ULTRAFAST RECT
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N6073 electronic components. JAN1N6073 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N6073, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N6073 製品の属性

品番 : JAN1N6073
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/503
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 50V
電流-平均整流（Io） : 850mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 2.04V @ 9.4A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 30ns
電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 50V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : A, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : A-PAK
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 155°C

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