IXFT30N60Q 価格設定（USD） [7589個在庫]
- 1 pcs$5.97148
- 品番:
- IXFT30N60Q
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 30A TO-268D3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, サイリスタ-トライアック, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFT30N60Q electronic components. IXFT30N60Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT30N60Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFT30N60Q 製品の属性
品番 :
IXFT30N60Q
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268D3
シリーズ :
HiPerFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
30A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
230 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 4mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
125nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4700pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
500W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-268
パッケージ/ケース :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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