IXYS - IXFT30N60Q

KEY Part #: K6410418

IXFT30N60Q 価格設定(USD) [7589個在庫]

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品番:
IXFT30N60Q
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268D3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT30N60Q 製品の属性

品番 : IXFT30N60Q
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 600V 30A TO-268D3
シリーズ : HiPerFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 30A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 230 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 4mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 125nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4700pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 500W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-268
パッケージ/ケース : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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