GeneSiC Semiconductor - MSRT20080(A)D

KEY Part #: K6468634

MSRT20080(A)D 価格設定(USD) [1194個在庫]

  • 1 pcs$36.26045
  • 25 pcs$25.86845

品番:
MSRT20080(A)D
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER. Rectifiers 800V 200A Forward
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MSRT20080(A)D electronic components. MSRT20080(A)D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MSRT20080(A)D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MSRT20080(A)D 製品の属性

品番 : MSRT20080(A)D
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Series Connection
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 800V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 200A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 200A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 800V
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Three Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower
あなたも興味があるかもしれません
  • RURD620CCS9A-F085P

    ON Semiconductor

    UFDR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers UFDR DPAK PN 6A 200V

  • LQA10T150C

    Power Integrations

    DIODE CC 150V 5A DUAL TO-220AB. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect

  • BAS4006E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23.

  • BAS7006E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 V 70 mA

  • BAT1804E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 35V 100MA SOT23.

  • BAT6404E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Schottky Diodes