ON Semiconductor - ISL9R3060G2-F085

KEY Part #: K6443066

ISL9R3060G2-F085 価格設定(USD) [28083個在庫]

  • 1 pcs$1.46753

品番:
ISL9R3060G2-F085
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2. Rectifiers STR TO247 30A 600V AUTO
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor ISL9R3060G2-F085 electronic components. ISL9R3060G2-F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ISL9R3060G2-F085, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ISL9R3060G2-F085 製品の属性

品番 : ISL9R3060G2-F085
メーカー : ON Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, Stealth™
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 30A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 2.4V @ 30A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 45ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-247-2
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247-2
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

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