WeEn Semiconductors - BYV430J-600PQ

KEY Part #: K6475474

[6088個在庫]


    品番:
    BYV430J-600PQ
    メーカー:
    WeEn Semiconductors
    詳細な説明:
    DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P. Rectifiers BYV430J-600PQ/TO3PF/STANDARD M
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in WeEn Semiconductors BYV430J-600PQ electronic components. BYV430J-600PQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYV430J-600PQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BYV430J-600PQ 製品の属性

    品番 : BYV430J-600PQ
    メーカー : WeEn Semiconductors
    説明 : DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P
    シリーズ : -
    部品ステータス : Active
    ダイオード構成 : 1 Pair Common Cathode
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
    電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 30A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 2V @ 30A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 90ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 600V
    動作温度-ジャンクション : 175°C (Max)
    取付タイプ : Through Hole
    パッケージ/ケース : TO-3P-3, SC-65-3
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-3P
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