Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N5625GPHE3/54

KEY Part #: K6447879

[1273個在庫]


    品番:
    1N5625GPHE3/54
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    1N5625GPHE3/54 製品の属性

    品番 : 1N5625GPHE3/54
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
    シリーズ : SUPERECTIFIER®
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 400V
    電流-平均整流(Io) : 3A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 3A
    速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 3µs
    電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 400V
    静電容量@ Vr、F : 40pF @ 4V, 1MHz
    取付タイプ : Through Hole
    パッケージ/ケース : DO-201AD, Axial
    サプライヤーデバイスパッケージ : DO-201AD
    動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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