Infineon Technologies - SDT10S30

KEY Part #: K6450831

[265個在庫]


    品番:
    SDT10S30
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    DIODE SCHOTTKY 300V 10A TO220-2.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-JFET, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies SDT10S30 electronic components. SDT10S30 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SDT10S30, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SDT10S30 製品の属性

    品番 : SDT10S30
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : DIODE SCHOTTKY 300V 10A TO220-2
    シリーズ : CoolSiC™
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 300V
    電流-平均整流(Io) : 10A (DC)
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.7V @ 10A
    速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 0ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 200µA @ 300V
    静電容量@ Vr、F : 600pF @ 0V, 1MHz
    取付タイプ : Through Hole
    パッケージ/ケース : TO-220-2
    サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-2-2
    動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

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