SMC Diode Solutions - SICRD101200TR

KEY Part #: K6430137

SICRD101200TR 価格設定(USD) [17120個在庫]

  • 1 pcs$2.40710

品番:
SICRD101200TR
メーカー:
SMC Diode Solutions
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SICRD101200TR 製品の属性

品番 : SICRD101200TR
メーカー : SMC Diode Solutions
説明 : DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1200V
電流-平均整流(Io) : 10A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.8V @ 10A
速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間(trr) : 0ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F : 640pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ : DPAK
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C
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