S3DBHR5G 価格設定（USD） [849499個在庫]
- 1 pcs$0.04354
- 品番:
- S3DBHR5G
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA. Rectifiers 3A, 200V, GLASS PASSIVATED SMB RECTIFIER
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S3DBHR5G electronic components. S3DBHR5G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S3DBHR5G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S3DBHR5G 製品の属性
品番 :
S3DBHR5G
メーカー :
Taiwan Semiconductor Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
200V
電流-平均整流（Io） :
3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.15V @ 3A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
1.5µs
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 200V
静電容量@ Vr、F :
40pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214AA, SMB
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-214AA (SMB)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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