NVMFS6B03NLT3G 価格設定（USD） [2943個在庫]
- 5,000 pcs$1.57311
- 品番:
- NVMFS6B03NLT3G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NVMFS6B03NLT3G electronic components. NVMFS6B03NLT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFS6B03NLT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NVMFS6B03NLT3G 製品の属性
品番 :
NVMFS6B03NLT3G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
9.4nC @ 10V
Vgs（最大） :
±16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5320pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.9W (Ta), 198W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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