SF63GHB0G 価格設定（USD） [416112個在庫]
- 1 pcs$0.08889
- 品番:
- SF63GHB0G
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 150V 6A DO201AD.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation SF63GHB0G electronic components. SF63GHB0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SF63GHB0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SF63GHB0G 製品の属性
品番 :
SF63GHB0G
メーカー :
Taiwan Semiconductor Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 150V 6A DO201AD
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
150V
電流-平均整流（Io） :
6A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
975mV @ 6A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
35ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 150V
静電容量@ Vr、F :
100pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
DO-201AD, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-201AD
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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