メーカー :
GeneSiC Semiconductor
説明 :
DIODE MODULE 35V 200A 3TOWER
ダイオード構成 :
1 Pair Common Anode
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) :
200A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If :
750mV @ 100A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
サプライヤーデバイスパッケージ :
Three Tower