GeneSiC Semiconductor - MBRT20035R

KEY Part #: K6468470

MBRT20035R 価格設定(USD) [1317個在庫]

  • 1 pcs$32.85075
  • 25 pcs$25.05786

品番:
MBRT20035R
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE MODULE 35V 200A 3TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 35V 200A Schottky Recovery
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-トライアック and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBRT20035R electronic components. MBRT20035R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBRT20035R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBRT20035R 製品の属性

品番 : MBRT20035R
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE MODULE 35V 200A 3TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 35V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 200A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 750mV @ 100A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 1mA @ 20V
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Three Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower
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