STMicroelectronics - STB80NF03L-04-1

KEY Part #: K6398036

STB80NF03L-04-1 価格設定(USD) [22265個在庫]

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品番:
STB80NF03L-04-1
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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ISO-13485
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ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STB80NF03L-04-1 製品の属性

品番 : STB80NF03L-04-1
メーカー : STMicroelectronics
説明 : MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
シリーズ : STripFET™ II
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 80A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 110nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5500pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 300W (Tc)
動作温度 : -60°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : I2PAK
パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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