GeneSiC Semiconductor - MURTA600120

KEY Part #: K6468639

詳細な説明:: DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER. Rectifiers 1200V 600A Si Super Fast Recovery

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MURTA600120 electronic components. MURTA600120 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURTA600120, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

品番 : MURTA600120

メーカー : GeneSiC Semiconductor

説明 : DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオード構成 : 1 Pair Common Cathode

ダイオードタイプ : Standard

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 1200V

電流-平均整流（Io）（ダイオードごと） : 300A

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 2.6V @ 300A

速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : -

電流-Vrでの逆漏れ : 25µA @ 1200V

動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

取付タイプ : Chassis Mount

パッケージ/ケース : Three Tower

サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower

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