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Microchip Technology - LND150N8-G

KEY Part #: K6417013

LND150N8-G 価格設定（USD） [201767個在庫]

  • 1 pcs$0.18781
  • 2,000 pcs$0.18688
品番:
LND150N8-G
メーカー:
Microchip Technology
詳細な説明:
MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microchip Technology LND150N8-G electronic components. LND150N8-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for LND150N8-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

LND150N8-G 製品の属性

品番 : LND150N8-G
メーカー : Microchip Technology
説明 : MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 30mA (Tj)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 0V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 1000 Ohm @ 500µA, 0V
Vgs（th）（最大）@ Id : -
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : -
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 10pF @ 25V
FET機能 : Depletion Mode
消費電力（最大） : 1.6W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-89-3
パッケージ/ケース : TO-243AA
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