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Microchip Technology - LND150N8-G

KEY Part #: K6417013

LND150N8-G 価格設定（USD） [201767個在庫]

  • 1 pcs$0.18781
  • 2,000 pcs$0.18688
品番:
LND150N8-G
メーカー:
Microchip Technology
詳細な説明:
MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-RF and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microchip Technology LND150N8-G electronic components. LND150N8-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for LND150N8-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

LND150N8-G 製品の属性

品番 : LND150N8-G
メーカー : Microchip Technology
説明 : MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 30mA (Tj)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 0V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 1000 Ohm @ 500µA, 0V
Vgs（th）（最大）@ Id : -
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : -
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 10pF @ 25V
FET機能 : Depletion Mode
消費電力（最大） : 1.6W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-89-3
パッケージ/ケース : TO-243AA
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