Toshiba Semiconductor and Storage - RN2108MFV,L3F

KEY Part #: K6526342

RN2108MFV,L3F 価格設定(USD) [2968934個在庫]

  • 1 pcs$0.01246

品番:
RN2108MFV,L3F
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN2108MFV,L3F 製品の属性

品番 : RN2108MFV,L3F
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
シリーズ : -
部品ステータス : Active
トランジスタータイプ : PNP - Pre-Biased
電流-コレクター(Ic)(最大) : 100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 50V
抵抗-ベース(R1) : 22 kOhms
抵抗-エミッターベース(R2) : 47 kOhms
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和(最大)@ Ib、Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 500nA
頻度-遷移 : -
パワー-最大 : 150mW
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SOT-723
サプライヤーデバイスパッケージ : VESM

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