ON Semiconductor - EGP20A

KEY Part #: K6451591

EGP20A 価格設定(USD) [546014個在庫]

  • 1 pcs$0.07401
  • 4,000 pcs$0.07364

品番:
EGP20A
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 50V 2A DO15. Rectifiers 2.0a Rectifier UF Recovery
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor EGP20A electronic components. EGP20A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGP20A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EGP20A 製品の属性

品番 : EGP20A
メーカー : ON Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 50V 2A DO15
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 50V
電流-平均整流(Io) : 2A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 950mV @ 2A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 50ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 50V
静電容量@ Vr、F : 70pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : DO-204AC, DO-15, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-15
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • 20ETF04FP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

  • 8EWF10S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • 8EWF12S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.

  • VS-50WQ10FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • 30WQ10FNTR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 3.5A DPAK.

  • 8EWS08S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK.