Rohm Semiconductor - DTC614TUT106

KEY Part #: K6525757

DTC614TUT106 価格設定(USD) [901323個在庫]

  • 1 pcs$0.04124
  • 3,000 pcs$0.04104
  • 6,000 pcs$0.03876
  • 15,000 pcs$0.03534
  • 30,000 pcs$0.03306

品番:
DTC614TUT106
メーカー:
Rohm Semiconductor
詳細な説明:
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Rohm Semiconductor DTC614TUT106 electronic components. DTC614TUT106 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DTC614TUT106, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DTC614TUT106 製品の属性

品番 : DTC614TUT106
メーカー : Rohm Semiconductor
説明 : TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
シリーズ : -
部品ステータス : Active
トランジスタータイプ : NPN - Pre-Biased
電流-コレクター(Ic)(最大) : 600mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 20V
抵抗-ベース(R1) : 10 kOhms
抵抗-エミッターベース(R2) : -
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 820 @ 50mA, 5V
Vce飽和(最大)@ Ib、Ic : 150mV @ 2.5mA, 50mA
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 500nA (ICBO)
頻度-遷移 : 150MHz
パワー-最大 : 200mW
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SC-70, SOT-323
サプライヤーデバイスパッケージ : UMT3

あなたも興味があるかもしれません
  • DTA143TMFHAT2L

    Rohm Semiconductor

    DIGITAL TRANSISTOR PNP 50V 100MA.

  • DTA023EMT2L

    Rohm Semiconductor

    TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3.

  • DTA015TMT2L

    Rohm Semiconductor

    TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3.

  • DTA114EMT2L

    Rohm Semiconductor

    TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3.

  • DTC043EMT2L

    Rohm Semiconductor

    TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3.

  • DTC115EMT2L

    Rohm Semiconductor

    TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3.