メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM
トランジスタータイプ :
NPN - Pre-Biased
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) :
50V
抵抗-エミッターベース(R2) :
4.7 kOhms
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce :
30 @ 10mA, 5V
Vce飽和(最大)@ Ib、Ic :
300mV @ 500µA, 5mA
電流-コレクターのカットオフ(最大) :
500nA