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Comchip Technology - 1N4006B-G

KEY Part #: K6443460

1N4006B-G 価格設定（USD） [2793351個在庫]

  • 1 pcs$0.01397
  • 1,000 pcs$0.01390
品番:
1N4006B-G
メーカー:
Comchip Technology
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41. Rectifiers DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Comchip Technology 1N4006B-G electronic components. 1N4006B-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4006B-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4006B-G 製品の属性

品番 : 1N4006B-G
メーカー : Comchip Technology
説明 : DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 800V
電流-平均整流（Io） : 1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.1V @ 1A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : -
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 800V
静電容量@ Vr、F : 15pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : DO-204AL, DO-41, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-41
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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