Vishay Semiconductor Diodes Division - BZD27C150P-M-18

KEY Part #: K6480633

BZD27C150P-M-18 価格設定(USD) [954299個在庫]

  • 1 pcs$0.03876
  • 50,000 pcs$0.03544

品番:
BZD27C150P-M-18
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BZD27C150P-M-18 electronic components. BZD27C150P-M-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BZD27C150P-M-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BZD27C150P-M-18 製品の属性

品番 : BZD27C150P-M-18
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, BZD27C
部品ステータス : Active
電圧-ツェナー(公称)(Vz) : 150V
公差 : -
パワー-最大 : 800mW
インピーダンス(最大)(Zzt) : 300 Ohms
電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 110V
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.2V @ 200mA
動作温度 : -65°C ~ 175°C
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-219AB
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-219AB (SMF)

あなたも興味があるかもしれません
  • BZD27C7V5P-M-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M.

  • BZD27C180P-M-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M.

  • BZD27C150P-M-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M.

  • BZD27C4V7P-M-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M.

  • BZD27C51P-M-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M.

  • BZD27C16P-M-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M.