BAS19LT1G 価格設定（USD） [4557573個在庫]
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- 150,000 pcs$0.00410
- 品番:
- BAS19LT1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor BAS19LT1G electronic components. BAS19LT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS19LT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS19LT1G 製品の属性
品番 :
BAS19LT1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
120V
電流-平均整流（Io） :
200mA (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.25V @ 200mA
速度 :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間（trr） :
50ns
電流-Vrでの逆漏れ :
100nA @ 100V
静電容量@ Vr、F :
5pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-23-3 (TO-236)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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