Infineon Technologies - BFR193L3E6327XTMA1

KEY Part #: K6462817

BFR193L3E6327XTMA1 価格設定(USD) [833301個在庫]

  • 1 pcs$0.04439

品番:
BFR193L3E6327XTMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies BFR193L3E6327XTMA1 electronic components. BFR193L3E6327XTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BFR193L3E6327XTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BFR193L3E6327XTMA1 製品の属性

品番 : BFR193L3E6327XTMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1
シリーズ : -
部品ステータス : Active
トランジスタータイプ : NPN
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 12V
頻度-遷移 : 8GHz
雑音指数(dB Typ @ f) : 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
利得 : 12.5dB ~ 19dB
パワー-最大 : 580mW
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 70 @ 30mA, 8V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 80mA
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SC-101, SOT-883
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TSLP-3-1

あなたも興味があるかもしれません
  • SS9018HBU

    ON Semiconductor

    RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3.

  • KSP10TA

    ON Semiconductor

    RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3.

  • BFU520YX

    NXP USA Inc.

    RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363.

  • BFU520YF

    NXP USA Inc.

    RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363.

  • BFP182WE6327HTSA1

    Infineon Technologies

    RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4.

  • BF776H6327XTSA1

    Infineon Technologies

    RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343-4.