現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. ディスクリート半導体製品
  4. ダイオード-ブリッジ整流器
  5. DBD10G-TM-E

ON Semiconductor - DBD10G-TM-E

KEY Part #: K6541613

[12317個在庫]

    品番:
    DBD10G-TM-E
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor DBD10G-TM-E electronic components. DBD10G-TM-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DBD10G-TM-E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    DBD10G-TM-E 製品の属性

    品番 : DBD10G-TM-E
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Single Phase
    技術 : Standard
    電圧-ピーク逆方向（最大） : 600V
    電流-平均整流（Io） : 1A
    電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.05V @ 500mA
    電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 600V
    動作温度 : 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : 4-SMD, Gull Wing
    サプライヤーデバイスパッケージ : -

    最新ニュース

    ON Semiconductor NCP1096 High Power PoE-PD w/ Internal Hot Swap FET
    ON Semiconductor FUSB308BV USB Type-C® Port Controller with USB-PD
    ON Semiconductor LV8549MCGEVB Evaluation Board
    ON Semiconductor NCV8406 65V 7.0A Low Side Driver
    ON Semiconductor NTMYS010N04CL 40V Industrial Power MOSFET
    ON Semiconductor LV8824QAGEVK Evaluation Kit
    ON Semiconductor NTTFS6H850NL Single N-Channel Power MOSFET
    ON Semiconductor NCP1095 High Power PoE-PD Controller
    ON Semiconductor LMV321, NCV321, LMV358, & LMV324 CMOS Op Amps
    ON Semiconductor FUSB380C Autonomous USB Type-C® Cable Marker
    ON Semiconductor FPF2283CUCX OVP Power Switch IC
    ON Semiconductor NCP13992 Evaluation Board
    あなたも興味があるかもしれません
    • DBA500G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 50A.

    • DBA40G-K20

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.6A.

    • DBA40G-K15

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.6A.

    • DBA40G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.6A.

    • DBA20G-K15

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A.

    • DBA20G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A.

    ホットパーツ